Upozornění: Text přílohy byl získán strojově a nemusí přesně odpovídat originálu. Zejména u strojově nečitelných smluv, kde jsme použili OCR. originál dokumentu stáhnete odsud
Celý záznam KORNDGLH2ENT najdete zde
strana
Návrh aktu
Uzavřená verze: 2025-0053-002-TVO
Návrh aktu
strana
Uzavřená verze: 2025-0053-002-TVO
…
NAŘÍZENÍ VLÁDY
ze dne …
o stanovení zboží dvojího užití, pro jehož vývoz se z důvodu vnitřní bezpečnosti vyžaduje povolení
Vláda nařizuje podle § 24 písm. b) zákona č. 594/2004 Sb., jímž se provádí režim Evropských společenství pro kontrolu vývozu, přepravy, zprostředkování a tranzitu zboží dvojího užití, ve znění zákona č. 383/2022 Sb.:
§ 1
Předmět úpravy
Příloha k tomuto nařízení stanoví v souladu s § 3 odst. 1 písm. d) zákona č. 594/2004 Sb., jímž se provádí režim Evropských společenství pro kontrolu vývozu, přepravy, zprostředkování a tranzitu zboží dvojího užití ve znění zákona č. 343/2010 Sb., zboží dvojího užití, pro jehož vývoz se z důvodu vnitřní bezpečnosti vyžaduje povolení.
§ 2
Účinnost
Toto nařízení vlády nabývá účinnosti patnáctým dnem následujícím po dni jeho vyhlášení.
Předseda vlády:
prof. PhDr. Fiala, Ph.D., LL.M.
podepsáno elektronicky
Ministr průmyslu a obchodu:
Ing. Vlček
podepsáno elektronicky
Příloha k nařízení č.
Zboží dvojího užití, pro jehož vývoz se v souladu s § 3 odst. 1 písm. d) zákona č. 594/2004 Sb. vyžaduje povolení
V této příloze jsou použité všeobecné poznámky, zkratková slova a zkratky a definice pojmů uváděných v „dvojitých uvozovkách“ z části I příloha I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821, v platném znění.
Definice pojmů uvedených v ,jednoduchých uvozovkách‘ jsou uvedeny v technické poznámce k příslušnému produktu.
KATEGORIE 2 – ZPRACOVÁNÍ MATERIÁLŮ
2B ZKUŠEBNÍ, KONTROLNÍ A VÝROBNÍ ZAŘÍZENÍ
2B901 Zařízení pro aditivní výrobu určená k výrobě součástí z kovu nebo kovových slitin, která mají všechny tyto vlastnosti, a jejich speciálně konstruované součásti:
a. mají alespoň jeden z těchto zdrojů konsolidace:
1. „laser“;
2. elektronový paprsek; nebo
3. elektrický oblouk;
b. při zpracování využívají řízenou atmosféru některého z těchto typů:
1. inertní plyn; nebo
2. vakuum (100 Pa nebo méně);
c. mají některé z těchto zařízení pro ‚monitorování během procesu‘ v ‚koaxiální konfiguraci‘ nebo ‚paraxiální konfiguraci‘:
1. zobrazovací kamera s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 380 nm, avšak nejvýše 14 000 nm;
2. pyrometr konstruovaný k měření teplot vyšších než 1 273,15 K (1 000 °C); nebo
3. radiometr nebo spektrometr s maximální citlivostí v rozmezí vlnových délek nad 380 nm, avšak nejvýše 3 000 nm; a
d. řídicí systém s uzavřeným okruhem určený k úpravě parametrů zdroje konsolidace, dráhy sestavování nebo nastavení zařízení během cyklu sestavování v reakci na zpětnou vazbu ze zařízení pro ‚monitorování během procesu‘ uvedeného v položce 2B901
Technické poznámky
Pro účely položky 2B901:
1. ‚Monitorování během procesu‘, známé také jako monitorování procesu in-situ, se týká pozorování a měření procesu aditivní výroby včetně elektromagnetických nebo tepelných emisí z taveniny.
2. ‚Koaxiální konfigurace‘, známá také jako konfigurace na ose nebo „inline“ konfigurace, se týká jednoho nebo více snímačů, které jsou namontovány v optické dráze sdílené „laserem“ coby zdrojem konsolidace.
3. ‚Paraxiální konfigurace‘ se týká jednoho nebo více snímačů, které jsou fyzicky namontovány na součást, která zajišťuje zdroj konsolidace v podobě „laseru“, elektronového paprsku nebo elektrického oblouku, nebo jsou do této součásti integrovány.
4. U ‚koaxiální konfigurace‘ i ‚paraxiální konfigurace‘ je zorné pole snímače (snímačů) pevně spojeno s pohyblivou vztažnou soustavou zdroje konsolidace a pohybuje se po stejných trajektoriích snímání zdroje konsolidace v průběhu celého procesu aditivní výroby.
2D SOFTWARE
2D901 „Software“, jiný než uvedený v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 v položce 2D002:
a. „software“ speciálně vyvinutý nebo upravený pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení uvedených v položce 2B901;
b. „software“ speciálně vyvinutý nebo upravený pro „užití“ zařízení uvedených v položce 2B901.
Poznámka: Položka 2D901 nezahrnuje „software“ k programování součástí, který vytváří kódy „číslicového řízení“ pro obrábění součástí.
2E TECHNOLOGIE
2E901 „Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii uvedené v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 pro „vývoj“ zařízení nebo „softwaru“ uvedeného v položce 2B nebo 2D.
2E902 „Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii uvedené v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 pro „výrobu“ zařízení uvedených v položce 2B.
2E903 „Technologie“, jinde neuvedené, pro „vývoj“ nebo „výrobu“ ‚systémů nanášení‘, které mají všechny tyto vlastnosti:
1. jsou určeny k ochraně „kompozitních“ materiálů s keramickou „matricí“ specifikovaných ve zboží uvedeném v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 v položce 1C007 proti korozi; a
2. jsou konstruovány pro provoz při teplotách vyšších než 1 373,15 K (1 100 ℃).
Technická poznámka:
Pro účely položky 2E903 se ‚systémy nanášení‘ skládají z jedné nebo více vrstev (například spojovací, mezivrstvy, vrchní vrstvy) materiálu naneseného na podložku.
KATEGORIE 3 – ELEKTRONIKA
3A SYSTÉMY, ZAŘÍZENÍ A SOUČÁSTI
Poznámka 1: Status zařízení a součástí popsaných v podkategorii 3A příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821, jiných než popsaných v položkách 3A901, 3A902. nebo 3A904, které jsou speciálně konstruované nebo které mají totožné funkční vlastnosti jako jiná zařízení, je určen statusem těchto jiných zařízení.
Poznámka 2: Status integrovaných obvodů popsaných v položce 3A902, které jsou pevně naprogramovány nebo konstruovány pro specifickou funkci v jiných zařízeních, je určen statusem těchto jiných zařízení.
Pozn. Pokud výrobce nebo žadatel nemůže určit status jiného zařízení, řídí se status integrovaných obvodů položkou 3A902.
Pozn.: Pro kryogenní integrované obvody typu CMOS (doplňující se kov-oxid-polovodič) neuvedené v položce 3A001.a.2. přílohy I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 viz položku 3A901.
3A902 Integrované obvody s jednou nebo více digitálními výpočetními jednotkami, jejichž ‚celkový výpočetní výkon‘ (‚TPP‘) je 6 000 nebo více.
Pozn. Pro „digitální počítače“ a „elektronické sestavy“ obsahující integrované obvody uvedené v položce 3A902 viz položku 4A901.
Technické poznámky:
Pro účely položky 3A902.:
1. ‚Celkový výpočetní výkon‘ (‚TPP‘) je 2 x ‚MacTOPS‘ x ‚bitová délka operace‘, agregovaný pro všechny výpočetní jednotky na integrovaném obvodu.
a. ‚MacTOPS‘ je teoretický maximální počet tera (1012) operací za sekundu pro výpočet násobení a akumulace (D=AxB+C).
b. Číslo 2 ve vzorci ‚TPP‘ vychází z konvence tohoto odvětví, podle níž se pro účely datových listů počítá jeden výpočet násobení a akumulace, D=AxB+C, jako 2 operace. Proto může 2 x MacTOPS odpovídat udávanému počtu TOPS nebo FLOPS na datovém listu.
c. ‚Bitová délka operace‘ pro výpočet násobení a akumulace je největší bitová délka vstupů operace násobení.
d. Pro získání celkového součtu je třeba sečíst TPP pro každou výpočetní jednotku na integrovaném obvodu. ‚TPP‘ = TPP1 + TPP2 + .... + TPPn (kde n je počet výpočetních jednotek na integrovaném obvodu).
2. Počet ‚MacTOPS‘ se vypočítá na maximální teoreticky možnou hodnotu. Za počet ‚MacTOPS‘ se považuje nejvyšší hodnota, kterou výrobce uvádí v příručce nebo brožuře k integrovanému obvodu. Například prahové hodnoty 6 000 ‚TPP‘ lze dosáhnout pomocí 750 tera celočíselných operací (nebo 2 x 375 ‚MacTOPS‘) při 8 bitech nebo 300 tera FLOPS (nebo 2 x 150 ‚MacTOPS‘) při 16 bitech. Pokud je integrovaný obvod konstruován pro výpočet MAC s více bitovými délkami, které dosahují různých hodnot ‚TPP‘, měla by být nejvyšší hodnota ‚TPP‘ vyhodnocena podle parametrů v položce 3.A.1.a.15.
3. U integrovaných obvodů uvedených v položce 3A902, které umožňují zpracování řídkých i hustých matic, jsou hodnoty ‚TPP‘ hodnotami pro zpracování hustých matic (např. bez využití řídkosti).
3A903 Parametrické zesilovače signálu, které mají všechny tyto vlastnosti:
a. konstruované pro provoz při okolní teplotě nižší než 1 K (-272,15 ºC);
b. konstruované pro provoz na jakékoli frekvenci od 2 GHz do 15 GHz včetně; a
c. poměr signálu k šumu menší (lepší) než 0,015 dB na jakékoli frekvenci od 2 GHz do 15 GHz včetně při 1 K (-272,15 ºC).
Poznámka: Mezi parametrické zesilovače signálu patří parametrické zesilovače s postupnou vlnou (TWPA).
Technická poznámka:
Pro účely položky 3A903 lze parametrické zesilovače signálu označovat také jako kvantově omezené zesilovače (QLA).
3A904 Kryogenní chladicí systémy a součásti:
a. systémy dimenzované na poskytování chladicího výkonu 600 μW nebo většího při teplotě 0,1 K (-273,05 °C) nebo nižší po dobu delší než 48 hodin;
b. dvoustupňové pulzní trubicové kryochladiče dimenzované na udržování teploty pod 4,0 K (-269,15 °C) a poskytování chladicího výkonu 1,5 W nebo většího při teplotě 4,2 K (-268,95 °C) nebo nižší.
3B ZKUŠEBNÍ, KONTROLNÍ A VÝROBNÍ ZAŘÍZENÍ
3B901.a. Zařízení určená k leptání za sucha, která mají některou z těchto vlastností:
1. zařízení konstruovaná nebo upravená pro izotropní leptání za sucha s největší ‚selektivitou leptání germanidu křemíku vůči křemíku (SiGe:Si)‘ 100:1 nebo větší; nebo
2. zařízení konstruovaná nebo upravená pro anizotropní leptání za sucha, která mají všechny tyto vlastnosti:
a. radiofrekvenční (RF) zdroj(e) energie s alespoň jedním pulzním RF výstupem;
b. jeden nebo více rychlých přepínacích plynových ventilů s dobou přepnutí kratší než 300 milisekund; a
c. elektrostatický držák s dvaceti nebo více individuálně regulovatelnými teplotními prvky.
Poznámka 1: Položka 3B901.a. zahrnuje leptání ‚radikály‘, ionty, sekvenčními reakcemi nebo nesekvenčními reakcemi.
Poznámka 2: Položka 3B901.a.2. zahrnuje leptání pomocí plazmatu buzeného radiofrekvenčními pulzy, plazmatu buzeného pulzním pracovním cyklem, plazmatu modifikovaného pulzním napětím na elektrodách, cyklického vstřikování a čištění plynů v kombinaci s plazmatem, leptání atomových vrstev plazmatem nebo leptání kvaziatomových vrstev plazmatem.
Technické poznámky:
1. Pro účely položky 3B901.a. se měří ‚selektivita leptání germanidu křemíku vůči křemíku (SiGe:Si)‘ pro koncentraci Ge větší nebo rovnající se 30 % (Si0.70Ge0.30).
2. Pro účely položky 3B901.a. je ‚radikál‘ definován jako atom, molekula nebo ion, který má nepárový elektron v otevřené konfiguraci elektronového obalu.
3B901.b. Masky a optické mřížky pro ‚extrémní ultrafialovou‘ (‚EUV‘) litografii určené pro integrované obvody, nespecifikované ve zboží uvedeném v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 v položce 3B001.g., které mají “substrátové polotovary„ pro masky uvedené v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 v položce 3B001.j.;
Technické poznámky:
1. Pro účely položky 3B901.b. odkazuje ‚extrémní ultrafialová‘ (‚EUV‘) na vlnové délky elektromagnetického spektra větší než 5 nm a menší než 124 nm.
2. Pro účely položky 3B901.b. se masky a optické mřížky s nanesenou ochrannou vrstvou považují za masky a optické mřížky.
3B902 Skenovací elektronové mikroskopy (SEM) určené k zobrazování polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů, které mají všechny tyto vlastnosti:
a. přesnost nastavení polohy stolku menší (lepší) než 30 nm;
b. měření nastavení polohy stolku prováděno za použití laserové interferometrie;
c. kalibrace polohy v zorném poli (Field-Of-View, FOV) na základě měření délkové škály laserovým interferometrem;
d. snímání a ukládání snímků, které mají více než 2 x 108 pixelů;
e. překrytí zorného pole menší než 5 % ve vertikálním a horizontálním směru;
f. spojování snímků s překrytím FOV menším než 50 nm; a
g. urychlovací napětí vyšší než 21 kV.
Poznámka 1: Položka 3B902 zahrnuje zařízení SEM určené k rekonstrukci návrhu čipů.
Poznámka 2: Položka 3B902 se nevztahuje na zařízení SEM konstruované pro standardizovaný nosič destiček dle sdružení Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI), jako je standardizovaný box s předním otevíráním (Front Opening Unified Pod, FOUP) pro destičky o průměru 200 mm nebo větším.
3B903 Zařízení pro kryogenní testování destiček, která mají všechny tyto vlastnosti:
a. konstruovaná pro zkoušení zařízení při teplotách nižších nebo rovných 4,5 K (-268,65 °C); a
b. určená pro destičky o průměru 100 mm nebo větším.
3B904 „Výrobní zařízení“, „software“ a „technologie“ pro polovodičové součástky nebo materiály, na které se nevztahují položky 3B001, 3D001, 3D002 a 3E001 přílohy I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821, a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:
a. zařízení pro epitaxiální růst:
1. zařízení pro epitaxiální růst křemíku (Si) nebo germanidu křemíku (SiGe), která mají všechny tyto vlastnosti:
a. alespoň jedna komora pro předčištění určená k přípravě povrchu pro čištění povrchu destičky; a
b. komora pro epitaxní depozici konstruovaná pro provoz při teplotě 685 °C nebo nižší.
b. zařízení pro čištění nebo odstraňování:
1. zařízení určená k odstraňování polymerních zbytků a vrstvy oxidu mědi a umožňující depozici kovové mědi ve vakuu (0,01 Pa nebo méně);
2. zařízení s více komorami nebo více stanicemi, určená k předčištění povrchu za sucha s odstraněním oxidu nebo k suché dekontaminaci povrchu.
Poznámka: 1. Položka 3B904.b se nevztahuje na zařízení pro depozici.
c. zařízení pro depozici:
1. zařízení pro depozici atomových vrstev (Atomic Layer Deposition, ALD) ‚kovů s výstupní prací‘, která mají všechny tyto vlastnosti:
a. více než jeden zdroj kovů, z nichž jeden je určen pro prekurzor hliníku (Al);
b. nádoba s prekurzorem konstruovaná pro a umožňující provoz při teplotě vyšší než 30 °C; a
c. určeno pro depozici ‚kovu s výstupní prací‘ se všemi těmito vlastnostmi:
1. depozice karbidu titanu a hliníku (TiAlC); a
2. umožnění „výstupní práce“ větší než 4,0 eV.
Technická poznámka: ‚Kov s výstupní prací‘ je materiál, který řídí prahové napětí tranzistoru.
d. 1. zařízení určená pro nevakuovou plazmou zesílenou depozici dielektrické vrstvy s nízkou dielektrickou konstantou v ‚mezerách‘ mezi kovovými vodiči o šířce menší než 25 nm a ‚poměru stran‘ rovnajícím se 1:1 nebo větším s dielektrickou konstantou menší než 3,3.
Technické poznámky:
1. ‚Mezery‘ označují prostor mezi kovovými vodiči.
2. ‚Poměr stran‘ je poměr výšky a hloubky otvoru mezi kovovými vodiči.
d. 2. zařízení konstruovaná nebo upravená pro depozici atomových vrstev (ALD) molybdenu (Mo), ruthenia (Ru) nebo kombinace obou materiálů, která mají všechny tyto vlastnosti:
a. zdroj kovových prekurzorů konstruovaný nebo upravený pro provoz při teplotě vyšší než 75 °C a
b. provozní komora (modul) používající redukční činidlo obsahující vodík pod tlakem vyšším nebo rovným 30 Torr (4 kPa).
Poznámka: Zdroj kovových prekurzorů nemusí být integrován do zařízení.
d. 3. zařízení konstruovaná pro plazmou zesílenou chemickou depozici z plynné fáze (plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) nebo radikály podporovanou chemickou depozici z plynné fáze a UV vytvrzování dielektrické vrstvy v jedné platformě při udržování teploty podložky pod 500 °C, která mají všechny tyto vlastnosti:
a. kovové ‚mezery‘ o tloušťce větší než 6 nm a menší než 20 nm s roztečí menší než 24 nm a s ´poměrem stran´ rovným 1:1.8 nebo větším, a
b. dielektrická konstanta menší než 3,0.
Technické poznámky:
1. ‚Mezery‘ označují prostor mezi kovovými vodiči.
2. ‚Poměr stran‘ je poměr výšky a hloubky otvoru mezi kovovými vodiči.
d. 4. zařízení pro depozici s přímým kapalinovým vstřikováním více než dvou kovových prekurzorů, konstruovaná nebo upravená pro nanášení konformní dielektrické vrstvy s dielektrickou konstantou (K) větší než 40 v ‚mezerách‘ s ´poměrem stran´ větším než 200:1 v jedné depoziční komoře.
Technické poznámky:
1. ‚Mezery‘ označují prostor mezi kovovými vodiči.
2. ‚Poměr stran‘ je poměr výšky a hloubky otvoru mezi kovovými vodiči.
d. 5. zařízení pro depozici s přímým kapalinovým vstřikováním více než dvou kovových prekurzorů, konstruovaná nebo upravená pro nanášení konformní dielektrické vrstvy s dielektrickou konstantou (K) větší než 35 v ‚mezerách‘ s ´poměrem stran´ větším než 50:1 v jedné depoziční komoře.
Technické poznámky:
1. ‚Mezery‘ označují prostor mezi kovovými vodiči.
2. ‚Poměr stran‘ je poměr výšky a hloubky otvoru mezi kovovými vodiči.
d. 6. zařízení nebo systémy pro výrobu polovodičů určené pro vícestupňové zpracování ve více komorách nebo stanicích:
a. selektivní růst wolframu (W) bez bariéry; nebo
b. selektivní růst molybdenu bez bariéry.
d. 7. zařízení konstruovaná pro depozici za asistence odděleně generovaných radikálů, která umožňují výrobu vrstvy obsahující křemík a uhlík a jejichž nanesená vrstva má všechny tyto vlastnosti:
a. v ‚mezerách‘ s ´poměrem stran´ větším než 5:1 s bočními otvory menšími než 35 nm;
b. dielektrická konstanta (k) menší než 4,4; a
c. rozteč mezi mezerami menší než 45 nm.
Technické poznámky:
1. ‚Mezery‘ označují prostor mezi kovovými vodiči.
2. ‚Poměr stran‘ je poměr výšky a hloubky otvoru mezi kovovými vodiči.
d. 8. zařízení neuvedená v položce 3B801.d.8, konstruovaná pro depozici za asistence odděleně generovaných radikálů, která umožňují výrobu vrstvy obsahující křemík a uhlík a jejichž nanesená vrstva má všechny tyto vlastnosti:
a. v ‚mezerách‘ s poměrem stran větším než 5:1 s bočními otvory menšími než 70 nm;
b. dielektrická konstanta (k) menší než 5,3; a
c. rozteč mezi mezerami menší než 100 nm.
Technické poznámky:
1. ‚Mezery‘ označují prostor mezi kovovými vodiči.
2. ‚Poměr stran‘ je poměr výšky a hloubky otvoru mezi kovovými vodiči.
e. Litografická zařízení:
1. nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají všechny tyto vlastnosti:
a. vlnová délka světelného zdroje rovnající se nebo delší než 193 nm;
b. schopnost exponovat obrazce s ‚velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku‘ (Minimum Resolvable Feature size, ‚MRF‘) 45 nm nebo menší; a
c. maximální hodnota ‚přesnost překrytí‘ (dedicated chuck overlay, DCO) je menší nebo rovna 1,50 nm.
Technické poznámky:
1. ‚Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku‘ (‚MRF‘) se vypočítá podle vzorce:
kde K faktor = 0,25
‚MRF‘ je také známá jako rozlišovací schopnost.
2. ‚Přesnost překrytí‘ (dedicated chuck overlay, DCO) je přesnost zarovnání nového vzoru na stávající vzor deponovaný na destičku stejným litografickým systémem, také označované jako single machine overaly.
f. 1. nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají všechny tyto vlastnosti:
a. vlnová délka světelného zdroje rovnající se nebo delší než 193 nm;
b. schopnost exponovat obrazce s ‚velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku‘ (‚MRF‘) 45 nm nebo menší; a
c. maximální hodnota ‚přesnosti překrytí‘ (dedicated chuck overaly, DCO) je větší než 1,50 nm a menší nebo rovna 2,40 nm.
Technické poznámky:
1. ‚Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku‘ (‚MRF‘) se vypočítá podle vzorce:
kde K faktor = 0,25
‚MRF‘ je také známá jako rozlišovací schopnost.
2. ‚Přesnost překrytí‘(dedicated chuck overaly, DCO) je přesnost zarovnání nového vzoru na stávající vzor deponovaný na destičku stejným litografickým systémem, také označované jako single machine overlay.
f. 2. Zařízení neuvedená v položce 3B904.e.1 nebo 3B904.f.1, která jsou konstruovaná nebo upravená tak, aby zvýšila počet zpracovaných destiček za hodinu v průměru za jakýkoli časový interval o více než 1 % oproti zařízením, na která se vztahuje položka 3B904.e.1 nebo 3B904.f.1.
g. Ochranné vrstvy pro extrémní ultrafialovou (EUV) litografii (EUV pellicles).
3B905 Metrologická nebo kontrolní zařízení pro kontrolu polovodičových součástek:
a. metrologická nebo kontrolní zařízení:
1. zařízení pro metrologii vad destiček s aplikovaným motivem nebo zařízení pro kontrolu vad destiček s aplikovaným motivem, konstruovaná nebo upravená pro destičky o průměru 300 mm nebo větším, která mají všechny tyto vlastnosti:
a. jsou konstruovaná nebo upravená pro detekci vad o velikosti 21 nm nebo menší; a
b. mají některou z těchto vlastností:
1. světelný zdroj s optickou vlnovou délkou kratší než 400 nm;
2. zdroj elektronového paprsku s rozlišením menším (lepším) než nebo rovnajícím se 1,65 nm;
3. zdroj elektronového paprsku se studenou emisí (Cold Field Emission, CFE); nebo
4. dva nebo více zdrojů elektronového paprsku;
2. zařízení konstruovaná k měření zaostření nebo překrytí po vyvolání rezistu nebo po leptání na vyrobených destičkách pomocí obrazových technik měření překrytí nebo difrakčních technik měření s přesností měření překrytí menší (lepší) než nebo rovnající se 0,5 nm, která mají některou z těchto vlastností:
a. konstruovaná pro integraci do ‚stopy‘ (track); nebo
b. funkce ‚rychlého přepínání vlnových délek‘.
Technické poznámky:
1. ‚Stopa‘ (track) je zařízení určené k nanášení a vyvolávání fotorezistů určených pro litografii.
2. Funkce ‚rychlého přepínání vlnových délek‘ je definována jako schopnost změnit vlnovou délku měření a získat měření za méně než 25 ms.
3 C MATERIÁLY
3C901 Epitaxní materiály sestávající z „podložky“ s alespoň jednou epitaxně narostlou vrstvou z některé z těchto látek:
a. křemík s izotopickou příměsí menší než 0,08 % izotopů křemíku jiných než křemík-28 nebo křemík-30; nebo
b. germanium s izotopickou příměsí menší než 0,08 % izotopů germania jiných než germanium-70, germanium-72, germanium-74 nebo germanium-76.
Poznámka: Status zboží popsaného v položce 3C901 je určen, aniž je dotčen status zboží uvedeného v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 v položce 3C001.
3C902 Fluoridy, hydridy nebo chloridy křemíku nebo germania obsahující některou z těchto látek:
a. křemík s izotopickou příměsí menší než 0,08 % izotopů křemíku jiných než křemík-28 nebo křemík-30; nebo
b. germanium s izotopickou příměsí menší než 0,08 % izotopů germania jiných než germanium-70, germanium-72, germanium-74 nebo germanium-76.
3C903 Křemík, oxidy křemíku, germanium nebo oxidy germania, obsahující některou z těchto látek:
a. křemík s izotopickou příměsí menší než 0,08 % izotopů křemíku jiných než křemík-28 nebo křemík-30; nebo
b. germanium s izotopickou příměsí menší než 0,08 % izotopů germania jiných než germanium-70, germanium-72, germanium-74 nebo germanium-76.
Poznámka: Položka 3C903 zahrnuje „podložky“, hroudy, ingoty, hrušky a předlisky.
3D SOFTWARE
3D901 „Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení uvedených v položce 3B.
3D902 „Software“ speciálně vyvinutý pro „užití“ zařízení uvedených v položce 3B901.k.
3D903 „Software“ vyvinutý k extrakci dat ‚GDSII‘ nebo ekvivalentních standardních údajů o schématu a k zarovnání vrstev ze snímků ze skenovacího elektronového mikroskopu (SEM) a k vytvoření vícevrstvých dat ‚GDSII‘ nebo schématu spojů obvodů.
Technická poznámka: Pro účely položky 3D903 je ‚GDSII‘ (Geomatrical |Database Standard II) databázový souborový formát pro výměnu informací integrovaného obvodu nebo návrhu schématu integrovaného obvodu.
3D904 „Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení uvedených v položce 3B904.e.1.
3D905 „Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení uvedených v položce 3B904.f.2.
3D905 „Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení uvedených v položce 3B904.f.2.
3D906 „Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení uvedených v položkách 3B904.a.4, 3B904.c.1, 3B904.d.1, 3B904.d.2, 3B904.d.3, 3B904.d.4, 3B904.d.6, 3B904.d.7 nebo 3B904.g.
3D907 „Software“ speciálně vyvinutý pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení uvedených v položkách 3B904.d.5, 3B904.d.8, 3B904.b.1 nebo 3B904.b.2.
3D908 „Software“ pro ‚výpočetní litografii‘ vyvinutý nebo upravený pro „vývoj“ nebo „výrobu“ obrazců do masek pro DUV litografii.
Technická poznámka
‚Výpočetní litografie‘ je použití počítačového modelování pro předvídání, opravy, optimalizaci a ověřování zobrazovací výkonnosti litografického procesu v rozsahu obrazců, procesů a podmínek systému.
3E TECHNOLOGIE
Poznámka: Položky 3E901 a 3E902 se nevztahují na ‚soupravy pro návrh zpracování‘ (Process Design Kits, ‚PDK‘), pokud neobsahují knihovny provádějící funkce nebo technologie pro zboží uvedené v položkách 3A901, 3A902 nebo zboží uvedené v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 v položce 3A001.
Technická poznámka:
Pro účely položek 3E901 a 3E902 je ‚souprava pro návrh zpracování‘ (‚PDK‘) softwarový nástroj poskytnutý výrobcem polovodičů, který má zajistit, aby byly požadované postupy a pravidla pro navrhování zohledněny v zájmu úspěšného vytvoření specifického návrhu integrovaných obvodů při specifickém zpracovávání polovodičů v souladu s technologickými a výrobními požadavky (každý proces výroby polovodičů má svůj ‚PDK‘).
3E901 „Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii uvedené v přloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení nebo materiálů uvedených v položkách 3A, 3B nebo 3C.
3E902 „Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii uvedené v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 pro „vývoj“ nebo „výrobu“ integrovaných obvodů nebo zařízení využívajících struktury „tranzistoru Gate-All-Around Field-Effect“ („GAAFET“).
Poznámka 1: Položka 3E902 zahrnuje ‚recepty procesu‘.
Poznámka 2: Položka 3E902 se nevztahuje na kvalifikaci nebo údržbu nástrojů.
Technická poznámka:
Pro účely položky 3E902 se ‚receptem procesu‘ rozumí soubor podmínek a parametrů pro konkrétní krok procesu.
3E903 „Technologie“, která je „potřebná“ pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení uvedených v položce 3B904.e.1.
3E904 „Technologie“ „nezbytná“ pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení uvedených v položce 3B904.f.2.
3E905 „Technologie“, která je „potřebná“ pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení uvedených v položkách 3B904.a.4, 3B904.c.1, 3B904.d.1, 3B904.d.2, 3B904.d.3, 3B904.d.4, 3B904.d.6, 3B904.d.7 nebo 3B904.g.
3E906 „Technologie“, která je „potřebná“ pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení uvedených v položkách 3B904.d.5, 3B904.d.8, 3B904.b.1 nebo 3B904.b.2.
KATEGORIE 4 – POČÍTAČE
4A SYSTÉMY, ZAŘÍZENÍ A SOUČÁSTI
4A901 Kvantové počítače a související „elektronické sestavy“ a jejich součásti:
a. kvantové počítače:
1. kvantové počítače, které podporují 34 nebo více, ale méně než 100 ‚plně řízených‘, ‚propojených‘ a ‚fungujících‘ ‚fyzických qubitů‘ a mají ‚chybu C-NOT‘ menší nebo rovnající se 10-4;
2. kvantové počítače, které podporují 100 nebo více, ale méně než 200 ‚plně řízených‘, ‚propojených‘ a ‚fungujících‘ ‚fyzických qubitů‘ a mají ‚chybu C-NOT‘ menší nebo rovnající se 10-3;
3. kvantové počítače, které podporují 200 nebo více, ale méně než 350 ‚plně řízených‘, ‚propojených‘ a ‚fungujících‘ ‚fyzických qubitů‘ a mají ‚chybu C-NOT‘ menší nebo rovnající se 2 x 10-3;
4. kvantové počítače, které podporují 350 nebo více, ale méně než 500 ‚plně řízených‘, ‚propojených‘ a ‚fungujících‘ ‚fyzických qubitů‘ a mají ‚chybu C-NOT‘ menší nebo rovnající se 3 x 10-3;
5 kvantové počítače, které podporují 500 nebo více, ale méně než 700 ‚plně řízených‘, ‚propojených‘ a ‚fungujících‘ ‚fyzických qubitů‘ a mají ‚chybu C-NOT‘ menší nebo rovnající se 4 x 10-3;
6. kvantové počítače, které podporují 700 nebo více, ale méně než 1 100 ‚plně řízených‘, ‚propojených‘ a ‚fungujících‘ ‚fyzických qubitů‘ a mají ‚chybu C-NOT‘ menší nebo rovnající se 5 x 10-3;
7. kvantové počítače, které podporují 1 100 nebo více, ale méně než 2 000 ‚plně řízených‘, ‚propojených‘ a ‚fungujících‘ ‚fyzických qubitů‘ a mají ‚chybu C-NOT‘ menší nebo rovnající se 6 x 10-3;
8. kvantové počítače, které podporují 2 000 nebo více ‚plně řízených‘, ‚propojených‘ a ‚fungujících‘ ‚fyzických qubitů‘;
b. qubitová zařízení a qubitové obvody obsahující nebo podporující pole ‚fyzických qubitů‘ a speciálně konstruované pro zboží uvedené v položce 4A906.a.;
c. kvantové řídicí součásti a kvantová měřicí zařízení speciálně konstruované pro zboží uvedené v položce 4A901.a.;
Poznámka 1: Položka 4A901 se vztahuje na obvodový model (neboli založený na hradle, gate-based) a jednosměrné (neboli založené na měření,measurement-based) kvantové počítače. Tato položka se nevztahuje na adiabatické (nebo na principu kvantového žíhání pracující) kvantové počítače.
Poznámka 2: Zboží uvedené v položce 4A901 nemusí nutně fyzicky obsahovat žádné qubity. Například kvantové počítače založené na fotonických schématech neobsahují trvale fyzický prvek, který lze identifikovat jako qubit. Místo toho jsou fotonové qubity generovány za provozu počítače a později jsou odstraněny.
Poznámka 3: Zboží uvedené v položce 4A901.b zahrnuje polovodičové, supravodivé a fotonické qubitové čipy a čipová pole; povrchové iontové pasti; jiné technologie pro udržení qubitů; a koherentní propojení mezi těmito prvky.
Poznámka 4: Položka 4A901.c. se vztahuje na zboží určené ke kalibraci, inicializaci, manipulaci nebo měření rezidentních qubitů kvantového počítače.
Technické poznámky:
Pro účely položky 4A901:
1. ‚Fyzický qubit‘ je dvouúrovňový kvantový systém, který se používá k vyjádření základní jednotky kvantové logiky pomocí manipulací a měření, bez korekce chyb. ‚Fyzické qubity‘ se od logických qubitů liší tím, že logické qubity jsou qubity, s korekcí chyb a jsou složeny z mnoha ‚fyzických qubitů‘.
2. ‚Plně řízený‘ znamená, že ‚fyzický qubit‘ lze podle potřeby kalibrovat, inicializovat, řídit a číst.
3. ‚Propojený‘ znamená, že bránové operace se dvěma qubity lze provádět mezi libovolnou dvojicí dostupných ‚fungujících‘ ‚fyzických qubitů‘. To nemusí nutně znamenat propojení všeho se vším.
4. ‚Fungující‘ znamená, že ‚fyzický qubit‘ vykonává univerzální kvantové výpočetní funkce podle systémových specifikací pro operační přesnost qubitu.
5. Podporou 34 nebo více ‚plně řízených‘, ‚propojených‘ a ‚fungujících‘ ‚fyzických qubitů‘ se rozumí schopnost kvantového počítače obsáhnout, řídit, měřit a zpracovávat kvantové informace obsažené v 34 nebo více ‚fyzických qubitech‘.
6. ‚Chyba C-NOT‘ je průměrná chyba fyzické brány pro neřízené (Controlled-NOT, C-NOT) nejbližší sousední brány dvou ‚fyzických qubitů‘.
4A902 Počítače, „elektronické sestavy“ a „součásti“ obsahující jeden nebo více integrovaných obvodů popsaných v položce 3A902.
Technická poznámka:
Pro účely položky 4A902 zahrnují počítače „digitální počítače“, hybridní počítače a analogové počítače.
4D SOFTWARE
4D901 „Software“ speciálně vyvinutý nebo upravený pro „vývoj“ nebo
„výrobu“ zboží uvedeného v položce 4A901.b. nebo 4A901.c.
4E TECHNOLOGIE
4E901 „Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii uvedené v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zboží uvedeného v položce 4A902 nebo 4D901.b.3.
4E902 „Technologie“ ve smyslu všeobecné poznámky k technologii, jiné než specifikované ve zboží uvedeném v příloze I nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821 v položce 4E001.a., k „vývoji“ nebo „výrobě“ zboží uvedeného v položce 4A901.b. nebo 4A901.c.